SiC功率模块研发专家

Job description

负责SiC功率模块产品设计工作，包括

• 芯片选型、Layout结构设计、热设计；

负责SiC功率模块性能仿真工作，包括

• 热仿真、电气仿真、机械仿真及多物理场耦合仿真；
• 负责功率模块前沿技术研究，包括双面冷却、相变冷却、GaN技术、Ga2O3技术，并应用于产品开发；
• 基于 SiC 芯片电气特性，设计模块机械结构（壳体、基板、端子等），满足功率密度、散热效率及电气绝缘要求，输出3D和2D图纸指导仿真部门和工艺部门；
• 制定模块封装方案（如压接式、焊接式），规划芯片与基板的布局，优化热传导路径（如 DBC 基板、散热柱设计）；
• 指导结构设计仿真（ANSYS、ABAQUS），验证热应力、机械强度及振动可靠性，迭代优化设计方案；
• 开发模块级散热方案、优化界面材料，跟踪 SiC 模块封装前沿技术（如无焊料烧结封装、3D 集成散热结构），主导新技术预研与落地；
• 制定模块生产与检验规范（如结构尺寸公差、气密性测试标准），支持量产落地；
• 根据产品规划和业务发展需求，制定模块产品和技术发展Roadmap。负责现有产品优化，新产品开发，新技术预研。产品全生命周期管理和支持。产品项目立项，项目推进和结项工作等。

任职要求

1、本科及以上学历； 2、8年以上碳化硅功率器件开发经验；5年以上功率模块封装工艺经验，3年以上团队管理经验； 3、精通SiC/IGBT模块前道工艺（银烧结、铜线键合、Clip Bonding等），有量产爬坡（Ramp-up）成功案例； 4、熟悉封装失效模式分析（SAM/X-ray/金相切片）； 5、有车规功率模块的的量产经验者优先。

岗位职责

车用电力电子技术的创新和新技术的引入，尤其涉及SiC功率半导体的的创新应用，和多学科交叉创新，以保证全域SiC项目的技术先进性和成本竞争力 任职要求： 博士及以上学历，电力电子与电力传动、电气工程、电子科学与技术等相关专业；特别优秀硕士可放宽（需8年以上电力电子基础技术研发经验）。

• 8年以上电力电子基础技术研发经验，3年以上技术负责人/创新项目主导经验。
• 优先具备宽禁带半导体（SiC/GaN）应用、新型拓扑结构或高效控制算法研发经验，有基础技术产业化落地经验者优先。
• 主导过电力电子基础技术创新项目，有核心技术突破或专利成果者优先。
• 精通电力电子基础理论、拓扑结构设计、控制算法优化，熟悉热管理、封装集成等相关技术。
• 熟练使用MATLAB/Simulink等仿真工具，能独立完成基础技术方案设计、仿真验证及试验测试。
• 具备极强的技术创新能力和问题解决能力，了解电力电子行业标准，有专利布局及产学研合作经验。

SiC上游材料的创新和新技术的引入，以保证全域SiC项目的技术先进性和成本竞争力 任职要求： 1.硕士及以上学历，材料科学与工程、半导体材料、微电子、凝聚态物理等相关专业。 2. 8年以上功率半导体材料研发相关工作经验，其中至少3年以上技术负责人或专家岗位经验。 3.具备SiC、GaN等宽禁带半导体材料研发经验者优先；有IGBT衬底/外延材料、功率二极管材料量产研发经验者优先。 4.有完整的材料研发项目从立项、研发、测试到量产落地的全流程主导经验，曾主导过核心技术突破或重大研发项目者优先。

SiC驱动芯片数字部分的设计、工艺的创新和新技术的引入，以保证全域SiC项目的技术先进性和成本竞争力 任职要求： -博士及以上学历，微电子、集成电路设计、计算机等相关专业；特别优秀硕士可放宽（需8年以上数字芯片核心研发经验）。

• 8年以上功率半导体数字芯片研发经验，3年以上技术负责人/专家经验。
• 优先具备控制、接口芯片研发经验，或SiC/GaN配套数字芯片量产经验。
• 有数字芯片全流程研发及重大项目主导经验者优先。 -精通数字芯片设计原理，熟练掌握RTL编码、时序优化等核心技术，能独立完成复杂芯片全流程设计。
• 熟练使用Verilog/VHDL语言、Synopsys等EDA工具，精通UVM验证方法学，能设计验证平台。
• 熟悉功率半导体系统控制逻辑及接口协议，具备技术创新、问题解决能力，了解行业标准及专利法规。