電動車向けGaNパワー半導体素子のデバイス開発

Job description

勤務形態 正社員 組織ミッション パワーデバイス技術部は、パワーデバイス技術を軸に、世界規模でのカーボンニュートラルを実現するため魅力ある商品を企画し提供しています。 その中で、私たち第１、第２開発室では、世界中に高品質なパワー半導体をお届けするべくSi, SiCパワー、GaN半導体素子の企画、開発、設計、製品化をミッションに取り組んでおり、社内外から高い期待が寄せられています。年齢や役職に関係なくフラットに議論・相談を行うオープンなカルチャーのある組織です。 業務内容 電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）の企画/開発/設計業務 具体的には、以下の業務に携わっていただきます。

• 車載用GaN-HEMTの製品企画／仕様検討 ・技術ニーズ調査 ・技術動向調査 ・目標仕様調整および設計
• 車載用GaN-HEMTデバイス設計 ・デバイスシミュレーション ・構造検討およびレイアウト設計 ・素子試作評価、分析解析 ・素子検査、評価と素子開発品へのフィードバック 業務のやりがい・魅力 ・パワー半導体デバイス開発に関するスキルアップができます。特に、机上だけでは培うことのできないモノづくりに触れ、ウェハ試作や特性評価の実施が可能です。 ・素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ、システム開発部署と密接に連携しながら開発を進めるため、様々な専門知識を持つ方たちと一気通貫で多岐にわたる業務を経験できます。 ・魅力ある素子を企画し、世界中に高品質なパワー半導体を提供することで、地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献しているやりがいを感じることができます。

関連リンク ①半導体事業特集記事

マガジン ②半導体事業概要： 次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を ③SiCパワー半導体チップ開発のプロジェクトストーリー： 半導体の未来を拓く挑戦──技術者が語る8インチSiC量産化の舞台裏 ④当部の組織風土や働き方紹介： パワー半導体で未来を創る──その挑戦を支える「自分らしさ」を尊重したキャリアと働き方 職場情報 【採用背景】 地球環境問題への世の中の関心が一段と高まっており、電動車の電費向上や生産時のCO2削減が喫緊の課題となっています。 私たちは、電動車部品（モータ、インバータなど）の燃費性能を向上するためのキーデバイスである高耐圧/大電流パワー半導体素子の企画、設計開発から製品化まで行っています。 Siに変わる次世代の車載用GaNデバイスを一緒に開発、挑戦してもらえる仲間を募集しています。 【組織構成/在宅勤務比率】 ◎キャリア入社比率：約30％ パワーデバイス技術部には、民生半導体メーカーや産業機器メーカーからの入社者も多く在籍しています。

半導体技術との親和性が高いのはもちろんのこと、非自動車分野の考え方や業務プロセスを取り入れていく必要があるため、旧職の知見や経験を活用して活躍されています。 ◎在宅勤務：可能 応募資格 ＜MUST要件＞ 半導体素子の設計および開発経験または構造、動作原理、特性、評価技術に関する知識をお持ちの方 ※パワー半導体の経験有無は問いません ＜WANT要件＞ 以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・パワー半導体に関する知識をお持ちの方 ・半導体素子の設計および開発経験（目安：3年以上）をお持ちの方 ・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験 補足情報 【関連ワード】 ・半導体 ・電動化 ・パワエレ ・カーボンニュートラル 待遇 想定年収：550万円～1,430万円 ※給与は経験・能力を考慮の上決定します。 その他については 募集要項 をご確認ください。