パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計

Job description

勤務形態 正社員 従事いただく職務内容 パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発に携わっていただきます。 ・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計 ・単結晶製造設備制御技術開発 ・ウェハ機械加工(スライス、研磨、CMP等）の要素開発、工程設計 ・ウェハ製造のための、生産技術開発 ・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計 ・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理 ・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝 ・開発技術の権利化 ・ウェハ製造のための、工場DXおよび自動化開発 業務のやりがい・魅力

• 要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます
• 自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます
• システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます
• 国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます
• 社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます 採用の背景 カーボンニュートラル社会を背景に車両の電動化市場拡大、それに伴うパワー半導体への市場ニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、その中核となるSiC半導体に対して、素子、システム、OEMからのニーズを対応した、ウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫した業務を担っています。 市場拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための技術確立、製品化を一緒に牽引してくれる開発・設計・製造分野での仲間を募集しています。 組織のミッション SiCウエハ技術室は24年4月に発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。 職場情報 20代～50代といった年齢層、開発、設計、製造といった経験をもつメンバーで構成された室となっています。半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。

関連リンク ①半導体事業特集記事

マガジン ②半導体事業概要： 次世代の「車載半導体」で、モビリティと社会インフラにさらなる進化を ③SiCパワー半導体チップ開発のプロジェクトストーリー： 半導体の未来を拓く挑戦──技術者が語る8インチSiC量産化の舞台裏 応募資格 ＜MUST要件＞ 無機材料又は半導体の基礎知識を有し、かつ 以下いずれかのご経験をお持ちの方（3年以上） ・半導体ウェハの製品設計、評価経験 ・無機材料プロセス開発、工程設計経験 ・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験 ・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験 ・半導体装置(結晶成長、加工、エピ）開発、設計経験 ＜WANT要件＞ 下記のいずれかの知識・経験を有している方 ・気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験 ・機械加工の知識と開発・工程設計経験 ・工場DX推進、自動化推進経験を ・Siウェハの機械加工に関する経験と知識 ・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識 ・パワー半導体材料、単結晶に関する知識 ・技術開発における推進リーダ経験 ・海外企業との折衝経験 ・語学力（英語）：海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル（TOEIC610点以上） 補足情報 【開発ツール】 ・Star-CCM(流体解析) ・ANSYS(応力設計） 【関連キーワード】 ・結晶成長 ・ウェハ製造 ・半導体設備 ・半導体製造 ・パワー半導体 ・SiC ・CVD、気相成長 ・無機材料 ・単結晶 待遇 想定年収：650万円～1,430万円 ※給与は経験・能力を考慮の上決定します。

その他については 募集要項 をご確認ください。